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Infineon Technologies IMZA65R039M1HXKSA1
| Artikelnummer: | IMZA65R039M1HXKSA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247 |
| Datenblätte: | None |
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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| Anzahl | Einzelpreis |
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Infineon Technologies IMZA65R039M1HXKSA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IMZA65R039M1HXKSA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5.7V @ 7.5mA Vgs (Max) +20V, -2V Technologie SiCFET (Silicon Carbide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO247-4-3 Serie CoolSiC™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 18V Verlustleistung (max) 176W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-247-4 Paket Tube Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1393 pF @ 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 18 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 18V Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A (Tc) -
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